ОпиÑание продукта
Â
CZ Silicon Wafer — Ñто выÑококачеÑÑ‚Ð²ÐµÐ½Ð½Ð°Ñ ÐºÑ€ÐµÐ¼Ð½Ð¸ÐµÐ²Ð°Ñ Ð¿Ð¾Ð´Ð»Ð¾Ð¶ÐºÐ°, иÑÐ¿Ð¾Ð»ÑŒÐ·ÑƒÐµÐ¼Ð°Ñ Ð² производÑтве Ñовременных полупроводниковых приборов. Ð”Ð»Ñ Ð¿Ñ€Ð¾Ð¸Ð·Ð²Ð¾Ð´Ñтва кремниевых плаÑтин иÑпользуетÑÑ Ð¼ÐµÑ‚Ð¾Ð´ CZ (ЧохральÑкого), обеÑпечивающий выÑокий уровень чиÑтоты и однородноÑти. Кремниевые плаÑтины Ñтого типа обладают превоÑходными ÑлектричеÑкими характериÑтиками и низкой плотноÑтью дефектов, что делает их идеальным выбором Ð´Ð»Ñ ÑˆÐ¸Ñ€Ð¾ÐºÐ¾Ð³Ð¾ Ñпектра полупроводниковых применений.
Â
ÐšÑ€ÐµÐ¼Ð½Ð¸ÐµÐ²Ð°Ñ Ð¿Ð»Ð°Ñтина CZ извеÑтна Ñвоей превоÑходной плоÑкоÑтноÑтью, качеÑтвом поверхноÑти и криÑталлографичеÑкой ориентацией. Ðти качеÑтва позволÑÑŽÑ‚ производить выÑокопроизводительные полупроводниковые приборы Ñ Ð¿Ñ€ÐµÐ²Ð¾Ñходной надежноÑтью и ÑффективноÑтью. Метод CZ позволÑет производить плаÑтины большего диаметра, чем другие методы, такие как метод зоны плаваниÑ, что может привеÑти к увеличению выхода и Ñнижению производÑтвенных затрат.
Â
Кроме того, кремниевые плаÑтины CZ обладают широкими возможноÑÑ‚Ñми наÑтройки, а их характериÑтики можно адаптировать Ð´Ð»Ñ ÑƒÐ´Ð¾Ð²Ð»ÐµÑ‚Ð²Ð¾Ñ€ÐµÐ½Ð¸Ñ ÐºÐ¾Ð½ÐºÑ€ÐµÑ‚Ð½Ñ‹Ñ… требований различных полупроводниковых приложений. Ðто делает их универÑальным решением Ð´Ð»Ñ Ð¿Ñ€Ð¾Ð¸Ð·Ð²Ð¾Ð´Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÐµÐ¹, ÑтремÑщихÑÑ Ð¿Ñ€Ð¾Ð¸Ð·Ð²Ð¾Ð´Ð¸Ñ‚ÑŒ Ñовременные Ñлектронные уÑтройÑтва Ñ Ð¿Ñ€ÐµÐ²Ð¾Ñходной производительноÑтью и надежноÑтью.
Â
Ð’ целом, ÐºÑ€ÐµÐ¼Ð½Ð¸ÐµÐ²Ð°Ñ Ð¿Ð»Ð°Ñтина CZ предÑтавлÑет Ñобой выÑококачеÑтвенную подложку, ÐºÐ¾Ñ‚Ð¾Ñ€Ð°Ñ Ñ…Ð¾Ñ€Ð¾ÑˆÐ¾ подходит Ð´Ð»Ñ ÑˆÐ¸Ñ€Ð¾ÐºÐ¾Ð³Ð¾ Ñпектра полупроводниковых применений. Его превоÑходные ÑлектричеÑкие ÑвойÑтва, Ð½Ð¸Ð·ÐºÐ°Ñ Ð¿Ð»Ð¾Ñ‚Ð½Ð¾ÑÑ‚ÑŒ дефектов и выÑокий уровень чиÑтоты делают его идеальным выбором Ð´Ð»Ñ Ð¿Ñ€Ð¾Ð¸Ð·Ð²Ð¾Ð´Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÐµÐ¹, ÑтремÑщихÑÑ Ð¿Ñ€Ð¾Ð¸Ð·Ð²Ð¾Ð´Ð¸Ñ‚ÑŒ передовые Ñлектронные уÑтройÑтва.
Â
РоÑÑ‚ | ЧехиÑ, MCZ, ФЗ |
Оценка | Прайм, ТеÑÑ‚, Манекен и Ñ‚. д. |
Диаметр | Также возможны другие диаметры, такие как 10 мм, 12,7 мм, 1,5 дюйма, 35 мм, 40 мм, 2,5 дюйма. |
Толщина | 50~3000ум |
Заканчивать | Ð’ виде резки, притирки, травлениÑ, SSP, DSP и Ñ‚. д. |
ÐžÑ€Ð¸ÐµÐ½Ñ‚Ð°Ñ†Ð¸Ñ | (100) (111) (110) (211) (311) (511) (531) и Ñ‚. д. |
Вырезанный | До 4 град. |
Тип/Ð”Ð¾Ð¿Ð°Ñ†Ð¸Ñ | P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, внутренний |
Удельное Ñопротивление | ФЗ: до 20 кОм-Ñм |
CZ/MCZ: от 0.001 до 150 Ом-Ñм. | |
Тонкие пленки | * PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo и т. д. |
* PECVD: окÑид, нитрид, SiC и Ñ‚. д. | |
* Кремниевые ÑпитакÑиальные плаÑтины и ÑпитакÑиальные уÑлуги (SOS, GaN, GOI и Ñ‚. д.). | |
ПроцеÑÑÑ‹ | DSP, ультратонкий, ультраплоÑкий и Ñ‚. д. |
Уменьшение размеров, обратное шлифование, нарезка кубиками и т. д. | |
ÐœÐМС |
Â
Изображение продукта
http://ru.sibranchwafer.com/